12月18日消息，據韓國媒體報道，三星電子正加速布局下一代DRAM技術，在第六代DRAM尚未量產之際，已著手建立第七代（1d）DRAM的測試線。
報道稱，三星已在平澤P2廠建置10納米級的第七代DRAM測試線，并預計明年第一季度完全建成，以提高良率并拉開與競爭對手的技術差距。
這條被稱為“單路徑線”的測試線，將用于測試新半導體產品的量產潛力，一旦下一代芯片性能在研發階段確定，就會在此引進晶圓，開始提高量產良率。
目前尚不確定平澤10納米級第七代DRAM廠房的規模，但通常安裝測試線每月可處理約1萬片晶圓。
三星計劃在2026年前量產第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM計劃明年（2025年）量產，因此，第七代測試線與第六代DRAM量產的準備工作同步進行。
業界認為，三星在第六代DRAM還未進入量產階段前就為第七代建置廠房，是為了明年重奪優勢的起步年所進行的投資。
三星HBM市場被第二大公司SK海力士奪走，10納米級第六代內存的開發速度也落后于對手，為了奪回領導地位，三星必須加快產品開發速度。
