2024 年 11 月 11 日消息，國家知識產權局信息顯示，珠海格力電子元器件有限公司和珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種半導體器件及其制作方法”的專利，公開號 CN 118919521 A，申請日期為 2024 年 7 月。
專利摘要顯示，本發明提供一種半導體器件及其制作方法。半導體器件包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底沿第一方向的一側的防偽結構，所述防偽結構包括沿所述第一方向層疊的多層干涉層，所述干涉層中具有防偽圖案，相鄰所述干涉層的折射率不相同；其中，所述第一方向垂直于所述半導體襯底的表面。所述半導體器件的可靠度提高。