3 月 11 日消息,美光(Micron)于今年 2 月向英特爾(Intel)和 AMD 等客戶交付 1γ(gamma)DDR5 樣品,成為內存行業中首家實現這一突破的企業。
韓媒 chosun 昨日(3 月 10 日)發布博文,報道稱美光在交付的樣品中,其中只有一層使用極紫外光刻(EUV)設備,公司計劃通過減少 EUV 的使用,來加速量產尖端 DRAM。
IT之家援引博文介紹,美光選擇減少對 EUV 的依賴,轉而更多采用成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)工藝。
根據 ASML 的數據,下一代深紫外光刻(DUV)系統使用 193 納米波長的氬氟激光,可實現 38 納米特征尺寸的打印;而 EUV 光刻使用 13.5 納米波長的光,精度更高,但成本也更高。
美光表示,EUV 技術尚未完全穩定,因此僅在必要時使用,這一策略短期內可能提升量產速度,但長期來看,可能影響芯片的良率和性能。
與美光不同,三星和 SK 海力士在 DRAM 技術發展中更依賴 EUV 層。三星自 2020 年起在內存生產中采用 EUV,計劃在其第 6 代 10 納米 DRAM(1c)中應用超過 5 個 EUV 層。SK 海力士也在 2021 年引入 EUV 設備,并計劃在下一代 1c DRAM 中采用類似策略。
盡管美光減少對 EUV 的依賴可能短期內節省成本,但長期可能面臨技術瓶頸。行業人士指出,ArFi 工藝需要更多步驟,可能導致良率下降。隨著 EUV 層數的增加,尤其是超過三層后,技術難度將顯著加大。