2月27日消息，見證歷史的時刻！全球第一的存儲巨頭三星，居然購買中國長江存儲的專利技術，來打造未來產品，而在拿到授權的第一時間，三星就宣布了基于相關技術的成果：400多層堆疊的第十代V-NAND閃存。
和眾多傳統閃存廠商一樣，三星也是一直將CMOS控制電路放在存儲陣列之下，在同一塊晶圓上制造，而隨著堆疊層數、存儲密度的急劇增加，這種架構越來越難以推進。
長江存儲的Xtacking晶棧架構則是在兩塊晶圓上分別制造控制電路、存儲陣列，然后鍵合在一起，制造難度和成本大大降低，也有利于持續升級。
三星的第十代V-NAND，就將引入這種設計。
鎧俠/閃迪的閃存從第八代到日前剛發布的第十代，也是類似架構。
長江存儲晶棧架構
鎧俠最新架構
三星第十代V-NAND將堆疊超過400層(具體數字未公開)，奪回世界第一，超過開下剛剛創記錄的332層。
首發TLC，單Die容量1Tb(128GB)，存儲密度每平方毫米28Gb，略低于三星1Tb QLC顆粒的平方毫米28.5Gb，也遠不如鎧俠第十代的大約每平方毫米36.4Gb，因為密度不是三星的首要目標，層數才是。
接口傳輸速度倒是領先，達到了5600MT/s，也就是700MB/s。
因此，只需10顆芯片就能吃滿PCIe 4.0 x4，20顆吃滿PCIe 5.0 x4，32顆就能吃滿PCIe 6.0 x4。
事實上，大多數NAND閃存芯片都是8顆或者16顆Die封裝而成，因此16顆就能做到單顆芯片2TB，M.2 SSD單面能做到8TB，雙面可達16TB。
當然，因為兼容性問題，雙面的并不多見。
按照三星的規劃，2030年左右將做到1000層堆疊！
