報(bào)道，三星正在重新設(shè)計(jì)其第六代 1c DRAM，以提高良品率，并在即將推出的 HBM4 工藝中獲得優(yōu)勢(shì)，這家韓國(guó)巨頭目前正在考慮改革其 1c DRAM 工藝，據(jù)說(shuō)這是 HBM4 工藝取得成功的關(guān)鍵因素。
根據(jù)ZDNet韓國(guó)的報(bào)道，三星自2024年下半年以來(lái)一直在評(píng)估其尖端DRAM工藝的設(shè)計(jì)，該公司現(xiàn)在已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其高端1c DRAM，以確保其即將推出的HBM工藝能夠得到業(yè)界的采用，而不像HBM3衍生產(chǎn)品在與英偉達(dá)等公司整合時(shí)遇到巨大障礙。
報(bào)道稱，三星最先進(jìn)的 DRAM 工藝沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)良品率，據(jù)說(shuō)約為 60%-70%，這也是這家韓國(guó)巨頭無(wú)法進(jìn)入量產(chǎn)階段的原因。 據(jù)稱，主要問(wèn)題在于 1c DRAM 芯片的尺寸，三星最初的重點(diǎn)是縮小尺寸以實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)量，但這意味著該公司要在工藝穩(wěn)定性上做出妥協(xié)，從而導(dǎo)致良品率降低。
三星電子改變了 1c DRAM 的設(shè)計(jì)，增大了芯片尺寸，并致力于提高良品率，目標(biāo)是在今年年中實(shí)現(xiàn)。 看來(lái)他們正專注于下一代內(nèi)存的穩(wěn)定量產(chǎn)，即使成本更高。
- ZDNet 韓國(guó)
由于 SK 海力士和美光等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)完善了自己的HBM4設(shè)計(jì)，留給三星的時(shí)間已經(jīng)不多了，尤其是在 HBM3 失敗之后。
目前，三星第 6 代 DRAM 工藝的發(fā)展還存在不確定性，但據(jù)稱我們可以在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)看到進(jìn)展，這有可能使三星的 HBM4 工藝步入量產(chǎn)軌道，預(yù)計(jì)將于今年年底量產(chǎn)。