1 月 22 日消息，消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）發(fā)布博文，報道稱三星電子否認了關于重新設計其第五代 10nm 級 DRAM（1b DRAM）的報道。

IT之家昨日援引 ETNews 報道，三星電子內部為應對其 12nm 級 DRAM 內存產品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進現有 1b nm 工藝的同時從頭設計新版 1b nm DRAM。

市場觀察人士認為，三星修改 1b DRAM 設計的決定源于競爭壓力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

此外，據報道，三星啟動了名為“D1b-p”的開發(fā)項目，旨在提高其 DRAM 業(yè)務的競爭力，“p”代表“prime”，象征著卓越的品質，該項目重點關注提高電源效率和散熱性能。

盡管三星是全球 DRAM 領域的領導者，但目前正面臨來自 SK 海力士和美光的挑戰(zhàn)。這兩家公司都已成功商業(yè)化 1b DRAM，SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的開發(fā)。

有消息稱，三星 Galaxy S25 系列智能手機即將發(fā)布，美光將成為其主要的移動 DRAM (LPDDR5) 供應商。這被認為是由于三星尚未完全解決 1b LPDDR5X 的良率和散熱問題。

三星通過該媒體予以否認，稱相關報道不準確。此次事件引發(fā)了業(yè)界廣泛關注，凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度。

盡管三星否認了重新設計的報道，但業(yè)內人士透露，三星的目標是提升 1b DRAM 的性能和良率。據稱，重新設計涉及工藝調整，成本高昂且復雜，三星已緊急訂購設備，計劃在 2024 年底前完成安裝和測試，更新后的 1b DRAM 預計將于 2025 年第二或第三季度量產。